כללי
מספר פטנט:
168120
שם האמצאה:
שיטה להכנת מבנה התקן המכיל מבנה פרוסת סיליקון הנתונה על סובסטראט מרוכב המכיל מקדם מתואם להתפשטות בחום
שם באנגלית:
METHOD FOR PREPARING A DEVICE STRUCTURE HAVING A WAFER STRUCTURE DEPOSITED ON A COMPOSITE SUBSTRATE HAVING A MATCHED COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2004/095554 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 10/418870 ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית PCT/US/2004/011712 ארה"ב (US)
בקשת PCT 168120 ישראל (IL)
פרסום לאומי 168120 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
RAYTHEON COMPANY
כתובת:
870 WINTER STREET WALTHAM, MA 02451-1449 , US
מדינה:
ארה"ב
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
  סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il