העברת שכבות סיליקון-גרמניום, בעלי איכות גבוהה, באמצעות תהליך של חריטהחוזרת - פטנט 155395 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 155395
שם האמצאה:: העברת שכבות סיליקון-גרמניום, בעלי איכות גבוהה, באמצעות תהליך של חריטהחוזרת
שם באנגלית:: LAYER TRANSFER OF LOW DEFECT SIGE USING AN ETCH-BACK PROCESS

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2002/033746	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
19/10/2000	דין קדימה	692606	ארה"ב (US)
17/09/2001	בקשה בינלאומית	PCT/GB/2001/004159	בריטניה (GB)
11/04/2003	בקשת PCT	155395	ישראל (IL)
15/05/2007	פרסום לאומי	155395	ישראל (IL)

מגיש

שם:: IBM CORPORATION
כתובת:: NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

סוכן

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

מסמכים

פטנטים דומים