כללי
מספר פטנט:
130755
שם האמצאה:
טרנזיסטור MMIC מתח גבוה מותאם מראש עם המשכיות פוטנציאל אדמה משופר
שם באנגלית:
HIGH POWER PREMATCHED MMIC TRANSISTOR WITH IMPROVED GROUND POTENTIAL CONTINUITY
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 1999/023701 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 963529 ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית PCT/US/1998/023300 ארה"ב (US)
בקשת PCT 130755 ישראל (IL)
פרסום לאומי 130755 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
RAYTHEON COMPANY
כתובת:
2000 EAST EL SEGUNDO BOULEVARD P.O.BOX 902 EL SEGUNDO, CALIFORNIA 90245-0902 , US
מדינה:
ארה"ב
  מסירת הודעות
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il
  סוכן
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il