שיטה לכיוונון מיקום חשיפה לקרינה של קרן לייזר - פטנט 121740 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 121740
שם האמצאה:: שיטה לכיוונון מיקום חשיפה לקרינה של קרן לייזר
שם באנגלית:: BEAM IRRADIATION POSITION ADJUSTINGMETHOD

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
12/09/1996	דין קדימה	242045/96	יפן (JP)
27/11/1996	דין קדימה	316224/96	יפן (JP)
30/06/1997	דין קדימה	174058/97	יפן (JP)
11/09/1997	בקשה לאומית	121740	ישראל (IL)
22/02/1998	פרסום לאומי	121740	ישראל (IL)

מגיש

שם:: ADVANTEST CORPORATION

מגיש

שם:: CHEMITORONICS CO, LTD.

פטנטים דומים