כללי
מספר פטנט:
114774
שם האמצאה:
מגע אוהמי מסוג P ושיטה לייצור מגע אוהמי למוליכים למחצה מסוג P
שם באנגלית:
P-TYPE OHMIC CONTACT AND A METHOD FOR PRODUCING AN OHMIC CONTACT TO P-TYPE SEMICONDUCTORS
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
דין קדימה 700601 ארה"ב (US)
דין קדימה 700580 ארה"ב (US)
דין קדימה 700606 ארה"ב (US)
בקשה לאומית 114774 ישראל (IL)
פרסום לאומי 114774 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
3M COMPANY
כתובת:
3M CENTER, 2501 HUDSON ROAD SAINT PAUL,MN 55144-1000 , US
מדינה:
ארה"ב
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
  סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il