כללי
מספר פטנט:
108589
שם האמצאה:
פוטודיודה לחישת אינפרה אדום המבוססתעל שכבה אחת פלנרית של מרקורי קדמיום טלוריד סוג N, עם צומת אחיד לחישה סוג P על N, ומבנה מעורב לפסיבציה
שם באנגלית:
SINGLE LAYER PLANAR HgCdTe PHOTOVOLTAIC INFRAREDDETECTOR WITH HETEROSTRUCTURE PASSIVATION AND P-ON-N HOMOJUNCTION
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
בקשה לאומית 108589 ישראל (IL)
פרסום לאומי 108589 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.
כתובת:
SENATE HOUSE TECHNION CITY HAIFA 3200004 , IL
מדינה:
ישראל
  מגיש/ממציא
שם:
YAEL NEMIROVSKY
כתובת:
IL
מדינה:
ישראל
  מסירת הודעות
שם:
אדוארד לנגר
כתובת:
רעננה 43103
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-97713585
פקס:
09-97713593
  סוכן
שם:
אדוארד לנגר
כתובת:
רעננה 43103
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-97713585
פקס:
09-97713593